3W~27W PoE SMD трансформатор високої частоти з ядром EP - 3-27 Вт PoE SMD трансформатор високої частоти | Виробник джерел живлення та магнітних компонентів на базі Тайваню | YUAN DEAN SCIENTIFIC CO., LTD.
Трансформатори призначені для переключення з частотою 200 кГц. Серія EP має функцію PoE, діапазон потужності становить 3-27 Вт. Є великий вибір розмірів та значень.
YUAN DEAN може надати високоефективні виробничі рішення та настроєні продукти. YDS - це високоякісний трансформатор високої частоти SMD потужністю від 3 Вт до 27 Вт з ядром EP, виробник 3W~27W PoE SMD трансформатор високої частоти з Тайваню з 1990 року.Ми виробляємо різноманітні продукти, такі як DC/DC конвертер, AC/DC конвертер, RJ45 з магнітами, 10/100/1G/2.5G/10G Base-T Lan фільтр, всі види трансформаторів, індукторів, світлодіодних драйверів/освітлювальних виробів та зарядних пристроїв.
3W~27W PoE SMD трансформатор високої частоти з ядром EP
Серія PoE EP
3-27 Вт PoE SMD трансформатор високої частоти
Трансформатори призначені для переключення з частотою 200 кГц. Серія EP має функцію PoE, діапазон потужності становить 3-27 Вт. Є великий вибір розмірів та значень.
YUAN DEAN може надати високоефективні виробничі рішення та настроєні продукти.
Особливості
- Трансформатори для передачі електроживлення через Ethernet (PoE).
- Призначені для переключення з частотою 200 кГц.
- Потужність: 3 Вт ~ 27 Вт
- Напруга випробування: 1500 В ефективного значення
- Доступні індивідуальні розробки.
Застосування
- комп'ютерне обладнання.
- інтернет-обладнання.
- система живлення основного змінного струму.
- промислове керування.
- телекомунікаційне обладнання.
Специфікація
- Діапазон робочої температури: -40°C до +125°C
- Діапазон температури зберігання: -55°C до +125°C
- Температура пайки: +245°C протягом 10 секунд максимум
- Доступна версія, відповідна вимогам RoHS.
EP7 8PIN SMD
| Номер частини | Коефіцієнт обертання Пер:Вт:ДОП ① | L ② (uH ± 10%) | Введення | LK ③ Макс. (мкГн) | DCR ④ (Омів МАКС) | Вихідна напруга ⑤ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| При | Аукс | Сек | ||||||
| 07SEP-5011SNL | 1:0.083:0.208 | 500 | 33 ~ 57В, 200КГц | 7.5 | 1.75 | 0.215 | 0.015 | Vo=3.3В/3Вт, 8В/20мА |
| 07SEP-3111SNL | 1:0,182:0,682 | 310 | 33 ~ 57В, 200КГц | 5.0 | 1.60 | 2.60 | 0.045 | Vo=3.3В/3Вт, 12В/20мА |
| 07SEP-5012SNL | 1:0.125:0.208 | 500 | 33 ~ 57В, 200КГц | 7.5 | 1.75 | 0.215 | 0.035 | Vo=5.00В/3Вт, 8В/20мА |
| 07SEP-3112SNL | 1:0.273:0.682 | 310 | 33 ~ 57В, 200КГц | 5.0 | 1.60 | 2.65 | 0.087 | Vo=5.00В/3Вт, 12В/20мА |
| 07SEP-5211SNL | 1:0.286:0.204 | 521 | 33 ~ 57В, 200КГц | 7.5 | 1.75 | 0,22 | 0.100 | Vo=12В/3Вт, 8В/20мА |
| 07SEP-3113SNL | 1:0.682:0.682 | 310 | 33 ~ 57В, 200КГц | 5.0 | 1.60 | 2.60 | 0.55 | Vo=12В/3Вт, 12В/20мА |
① Відношення витрати з вторинними обмотками, з'єднаними паралельно.
② L(NOM) = Номінальна індуктивність для первинної обмотки, виміряна при 200 кГц, 0,1 Вrms, 0 Аdc.
③ Витікання індуктивності, виміряне між первинними іншими контактами, замкнутими разом.
④ DCR для вторинних обмоток, з'єднаних паралельно.
⑤ Вихід з вторинними обмотками, з'єднаними паралельно.
EP10 8PIN SMD
| Номер частини | Коефіцієнт обертання Пер:Вт:ДОП ① | L ② (uH ± 10%) | Введення | LK ③ Макс. (мкГн) | DCR ④ (Омів МАКС) | Схема | Вихідна напруга ⑤ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| При | Аукс | Сек | |||||||
| 10ВЕР-2502ТНЛ | 1:0.100:0.150 | 25.2 | 36 ~ 72В, 300КГц | 2.0 | 0,25 | 0.02 | 0.0035 | Б | Vo=3.3В/10Вт, 5В/100мА |
| 10SEP-2512SNL | 1:0.083:0.208 | 253 | 33 ~ 57В, 200КГц | 7.5 | 0.42 | 0.115 | 0.0075 | A | Vo=3.3В/7Вт, 8В/20мА |
| 10ВЕР-1511СНЛ | 1:0,182:0,682 | 155 | 33 ~ 57В, 200КГц | 5.0 | 0.53 | 0.90 | 0.031 | A | Vo=3.3В/7Вт, 12В/20мА |
| 10ВЕР-2001СНЛ | 1:0.222:0.555 | 20.4 | 9 ~ 50В, 200КГц | 1.5 | 0.08 | 0.15 | 0.0075 | A | Vo=3.3В/10Вт, 8В/20мА |
| 10SEP-2001FNL | 1:0.444:0.388 | 20.4 | 9 ~ 50В, 200КГц | 1.5 | 0.08 | 0.105 | 0.03 | A | Vo=3.3В/10Вт, 5В/20мА |
| 10SEP-2513SNL | 1:0.125:0.208 | 253 | 33 ~ 57В, 200КГц | 7.5 | 0.42 | 0.115 | 0.016 | A | Vo=5V/7W, 8V/20mA |
| 10SEP-1512SNL | 1:0.273:0.682 | 155 | 33 ~ 57В, 200КГц | 5.0 | 0.57 | 1.00 | 0.040 | A | Vo=5V/7W, 12V/20mA |
| 10SEP-2611SNL | 1:0.286:0.204 | 264 | 33 ~ 57В, 200КГц | 7.5 | 0.80 | 0.115 | 0.045 | A | Vo=12В/7Вт, 8В/20мА |
| 10SEP-1611SNL | 1:0.682:0.682 | 155 | 33 ~ 57В, 200КГц | 5.0 | 0.54 | 0.92 | 0.37 | A | Vo=12В/7Вт, 12В/20мА |
① Відношення обертів з вторинними обмотками, з'єднаними паралельно.
② L(NOM) = Номінальна індуктивність для первинної обмотки, виміряна при 200 кГц, 0,1 В рмс, 0 А постійного струму.
③ Витікання індуктивності, виміряне між первинною обмоткою та іншими контактами, замкнутими між собою.
④ DCR для вторинних обмоток, з'єднаних паралельно.
⑤ Вихід здійснюється з послідовно підключеними вторинними обмотками.
EP13 10PIN SMD
| Номер частини | Коефіцієнт обертання Пер:Вт:ДОП ① | L ② (uH ± 10%) | Введення | LK ③ Макс. (мкГн) | DCR ④ (Омів МАКС) | Схема | Вихідна напруга ⑤ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| При | Аукс | Сек | |||||||
| 13ВЕР-1213ЗНЛ | 1:0.083:0.208 | 127 | 33 ~ 57В, 200КГц | 7.5 | 0.44 | 0.088 | 0.006 | A | Vo=3.3V/13.5W, 8V/20mA |
| 13SEP-1611AUNL | 1:0.167:0.639 | 155.5 | 33 ~ 57В, 200КГц | 5.0 | 0,33 | 0,65 | 0,011 | Б | Vo=3,3В/11Вт, 12В/20мА |
| 13SEP-7801ZNL | 1:0,182:0,682 | 77,4 | 33 ~ 57В, 200КГц | 5.0 | 0,10 | 0,27 | 0.0085 | A | Vo=3.3В/13.5Вт, 12В/20мА |
| 13SEP-1212ZNL | 1:0.125:0.208 | 127 | 33 ~ 57В, 200КГц | 7.5 | 0.46 | 0.094 | 0.012 | A | Vo=5В/13.5Вт, 8В/20мА |
| 13SEP-7701ZNL | 1:0.273:0.682 | 77,4 | 33 ~ 57В, 200КГц | 0,8 | 0,22 | 0,25 | 0,018 | A | Vo=5V/13,5W, 12V/20мА |
| 13SEP-1211ZNL | 1:0,292:0,208 | 127 | 33 ~ 57В, 200КГц | 7.5 | 0.46 | 0.094 | 0,055 | A | Vo=12V/13,5W, 8V/20мА |
| 13SEP-7802ZNL | 1:0.682:0.682 | 77,4 | 33 ~ 57В, 200КГц | 5.0 | 0,10 | 0,27 | 0.075 | A | Vo=12В/13.5Вт, 12В/20мА |
| 13SEP-2801ZNL | 1:0.470:0.294 | 28.9 | 33 ~ 57В, 200КГц | 1.0 | 0.058 | 0,055 | 0.027 | A | Vo=15В/27Вт, 8В/20мА |
① Відношення витрати зі з'єднаними в паралель вторинними обмотками.
② L(NOM) = Номінальна індуктивність для первинної обмотки, виміряна при 200 кГц, 0,2 Вrms, 0 Аdc.
③ Витікання індуктивності, виміряне між первинною обмоткою та іншими контактами, замкнутими в коротке з'єднання.
④ DCR для з'єднаних в паралель вторинних обмоток.
⑤ Вихід зі з'єднаними в паралель вторинними обмотками.
Сертифікація
- Механічні та габаритні характеристики
Механічні та габаритні розміри серії PoE EP (EP7 8PIN)
Механічні та габаритні розміри серії PoE EP (EP10 8PIN)
Механічні та габаритні розміри серії PoE EP (EP13 10PIN)
- Пов'язані продукти
SMD високочастотний трансформатор PoE з платформами EFD15-SMT
Серія 15SEFD
Високочастотний дротяний трансформатор з платформами...
Деталі
SMD трансформатор з високою частотою потужності PoE з платформами EFD20 - SMT
Серія 20SEFD
Трансформатор високої частоти з платформами EFD20 - SMT та...
Деталі- Завантаження файлів
Високочастотний трансформатор для рішення PoE серії PoE EP
Каталог PDF-файлів SMD високочастотних трансформаторів рішень PoE 3~27 Вт
Завантажити
3W~27W PoE SMD трансформатор високої частоти з ядром EP - 3-27 Вт PoE SMD трансформатор високої частоти | Виробник джерел живлення та магнітних компонентів з Тайваню | YUAN DEAN SCIENTIFIC CO., LTD.
Заснована в Тайвані з 1990 року, YUAN DEAN SCIENTIFIC CO., LTD. є виробником перетворювачів, трансформаторів та магнітних компонентів в галузі електронних компонентів. Їхні основні продукти включають 3W~27W PoE SMD високочастотні трансформатори з EP-ядром, DC-DC конвертери, AC-DC конвертери, RJ45 магніти, трансформатори конвертерів, LAN фільтри, високочастотні трансформатори, PoE трансформатори, індуктори та LED драйвери, які мають сертифікат RoHS та впроваджену систему ERP.
YDS була заснована в 1990 році в Тайнані, Тайвань, а наш завод Ho Mao electronics був заснований в 1995 році в Сямені, Китай. Ми є провідним виробником електроніки з сертифікатами ISO 9001, ISO 14001 та IATF16949. Ми виробляємо різноманітні продукти, такі як DC/DC конвертер, AC/DC конвертер, RJ45 з магнітами, 10/100/1G/2.5G/10G Base-T Lan фільтр, всі види трансформаторів, індукторів, LED драйверів/освітлювальних продуктів та Power bank. Сертифікований перетворювач потужності, високочастотний трансформатор та магнітний компонент з надійними EMC та EMI / EMS / EDS лабораторними випробуваннями згідно з ISO 9001 та ISO 14001, IATF16949. Рішення по перетворенню енергії для медичних, залізничних, POE тощо.
YDS пропонує клієнтам високоякісні джерела живлення та магнітні компоненти, які поєднують у собі передову технологію та 25-річний досвід. YDS гарантує задоволення потреб кожного клієнта.